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Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor Phase Control Thyristor
T 2706 N 16...22
T vj = - 40C...Tvj max
N
Vorlaufige Daten Preliminary Data VDRM , VRRM VDSM VRSM ITRSMSM 1600, 1800 2000, 2200 1600, 1800 2000, 2200 1700. 1900 2100, 2300 5800 2710 3700 54000 50000 14580 12500 200 V V V A A A A A As*10 As*10 A/s
Elektrische Eigenschften / Electrical properties Hochstzulassige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwarts- und Ruckwarts-Spitzensperrspannung repetitive peak forward off-state and reverse voltages Vorwarts-Stospitzensperrspannung non-repetitive peak foward off-state voltage Ruckwarts-Stospitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage Durchlastrom-Grenzeffektivwert RMSM on-state current Dauergrenzstrom average on-state current Stostrom-Grenzwert surge current Grenzlastintegral It-value Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaspannung on-state voltage Schleusenspannung threshold voltage Ersatzwiderstand slope resistance Durchlakennlinie on-state voltage vT = A + B x iT + C x ln (iT + 1 ) + D x iT Zundstrom gate trigger current Zundspannung gate trigger voltage Nicht zundener Steuerstrom gate non-trigger current Nicht zundene Steuerspannung gate non-trigger voltage Haltestrom holding current Einraststrom latching current Vorwarts- und Ruckwarts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents Zundverzug gate controlled delay time
T vj = Tvj max, iT = 11000 A T vj = Tvj max, iT = 3000 A T vj = Tvj max T C = 85C T C = 61C T vj = 25C, tp = 10 ms T vj = Tvj max, tp = 10 ms T vj = 25C, tp = 10ms T vj = Tvj max, tp = 10ms DIN IEC 747-6 f=50 Hz, vL = 10V, iGM = 1 A diG/dt = 1 A/s T vj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM 5.Kennbuchstabe / 5th letter F
T vj = - 40C...Tvj max
T vj = + 25C...Tvj max
ITAVM ITSM It (diT/dt)cr
(dvD/dt)cr
1000
V/s
vT VT(TO) rT A=1,09532 B=8,255E-05 C=-7,06279E-02 D=9,53181E-03 IGT VGT IGD VGD IH
max. max.
2,35 1,30 0,9 0,125
V V V m
T vj = Tvj max
T vj = Tvj max
T vj = 25C, vD = 6 V
max. max. max. max. max. max. max.
300 2,5 10 5 0,25 300 1500
mA V mA mA mV mA mA
T vj = 25C, vD = 6V
T vj = Tvj max, vD = 6 V T vj = Tvj max,vD = 0,5 VDRM T vj = Tvj max,vD = 0,5 VDRM T vj = 25C, vD = 6 V, RA = 5
T vj = 25C, vD = 6 V, RGK>= 10 IL iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/s tg = 20 s T vj = Tvj max vD = VDRM, vR = VRRM DIN IEC 747-6 T vj = 25C iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/s
iD, iR tgd
max. max.
250 4
mA s
SZ-M / 01.06.99, K.-A. Ruther
A 111/99
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Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor Phase Control Thyristor
T 2706N 16 ... 22
T vj = Tvj max, iTM=ITAVM vRM =100V, vDM = 0,67 VDRM dvD/dt = 20 V/s, -diT/dt = 10 As 4. Kennbuchstabe / 4th letter O
N
Vorlaufige Daten Preliminary Data tq
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values Freiwerdezeit circuit commutatet turn-off time
typ.
300
s
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Warmewiderstand thermal resitance, junction to case
Kuhlflache / cooling surface beidseitig / two-sided, =180sin beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, =180sin Anode / anode, DC Kathode / cathode, = 180sin Kathode / cathode, DC
RthJC max. max. max. max. max. max. RthCK max. 0,0025 max. 0,0050 T vj max T c op T stg 125 -40...125 -40...150 C/W C/W C C C 0,0085 0,0078 0,0152 0,0146 0,0183 0,0169 C/W C/W C/W C/W C/W C/W
Ubergangs- Warmewiderstand thermal resitance, case to heatsink Hochstzulassige Sperrschichttemperatur max. junction temperature Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature
Kuhlflache / cooling surface beidseitig / two-sided einseitig / single-sided
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehause, siehe Anlage case, see appendix Si-Element mit Druckkontakt, Amplifying-Gate Si-pellet with pressure contact, amplifying gate Anprekraft clamping force Gewicht weight Kriechstrecke creepage distance Feuchteklasse humidity classification Schwingfestigkeit vibration resistance
DIN 40040
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F G typ.
42...95 1200 33 C 50
kN g mm
f = 50Hz
m/s
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehorigen Technischen Erlauterungen./ This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. SZ-M / 01.06.99, K.-A. Ruther A 111/99 Seite/page 2
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor Phase Control Thyristor
T 2706 N 16 ... 22
N
SZ-M / 01.06.99, K.-A. Ruther
A 111/99
Zn. Nr.: 1
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Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor Phase Control Thyristor
T 2706 N 16...22
N
16.000
14.000
12.000
10.000
iT [A]
8.000
6.000
4.000
2.000
0 0,5 1 1,5 vT [V] 2 2,5 3
Grenzdurchlakennlinie / Limiting 0n-state characteristic iT = f(vT) Tvj = Tvj max
SZ-M / 01.06.99, K.-A. Ruther
A 111/99
Z. Nr.: 2
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Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor Phase Control Thyristor
T 2706 N 18 ... 22
N
Kuhlung cooling
Analytische Elemente des transienten Warmewiderstandes ZthJC fur DC Analytical ementes of transient thermal impedance ZthJC for DC Pos.n 1
0,000030 0,000055
2
0,00039 0,00392
3
0,00123 0,0152
4
0,0028 0,2068
5
0,00338 1,0914
6
7
beidseitig two-sided anodenseitig anode-sided kathodenseitig cathode-sided
Rthn [C/W]
n [s]
Rthn [C/W]
0,000009 0,000371 0,000010 0,001820
0,0019 0,00951
0,0013 0,135
0,00434 0,00668 0,347 1,54
n [s]
Rthn [C/W]
0,000032 0,000728 0,000035 0,00341
0,00302 0,0215
n max
0,00802 0,135
0,0051 1,11
n [s]
Analytische Funktion / analytical function : ZthJC =
Rthn ( 1 - EXP ( - t / n ))
n=1
SZ-M / 01.06.99, K.-A. Ruther
A 111/99
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